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MDF7N60BTH	文件：322.78 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.15Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：322.78 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
MDF7N60BTH	文件：1.2947 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET 600V, 7.0A, 1.15(ohm) 文件：1.2947 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDF7N60BTH	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格納	MagnaChip
MDF7N60TH	文件：745.05 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 600V, 7A, 1.15(ohm) 文件：745.05 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDF7N60TH	文件：322.77 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.15Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：322.77 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
MDP7N60	文件：983.96 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 600V, 7A, 1.15(ohm) 文件：983.96 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP

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中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	MDF7N60BTH	MAGNACHIP/美格納	25+	TO-220F	32360	MAGNACHIP/美格納全新特價MDF7N60BTH即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨	詢價
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更多MDF7N60BTH供應(yīng)商更新時間2026-1-19 17:06:00