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MDF9N50TH	文件：322.91 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.85Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：322.91 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
MDF9N50TH	文件：771.41 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 9.0 A, 0.85(ohm) The MDF9N50 uses advanced MagnaChip’s MOSFET Technology, which provides low on-state resistance,high switching performance and excellent quality. MDF9N50 is suitable device for SMPS, high Speed switching and general purpose applications. 文件：771.41 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDF9N50TH	文件：300 bytes Page：1 Pages	500V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格納	MagnaChip
MDP9N50	文件：776.44 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 9.0 A, 0.85(ohm) 文件：776.44 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDP9N50B	文件：1.15572 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 9.0 A, 0.85(ohm) 文件：1.15572 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDP9N50BTH	文件：1.15572 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 9.0 A, 0.85(ohm) 文件：1.15572 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	MGCHIP	MGCHIP

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深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	MDF9N50TH	Magnachip	17+	TO-220F	6200		詢價(jià)
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更多MDF9N50TH供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 9:20:00