適用于 GaNFET 的汽車類 1.2A/5A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器

LM5113-Q1 專為同時(shí)驅(qū)動(dòng)采用同步降壓、升壓或半橋配置的高側(cè)和低側(cè)增強(qiáng)模式氮化鎵 (GaN) FET 或硅質(zhì) MOSFET 而設(shè)計(jì)，適用于汽車 應(yīng)用。此器件具有一個(gè)集成于內(nèi)部的 100V 自舉二極管，還為高側(cè)和低側(cè)輸出分別提供了獨(dú)立的輸入，可實(shí)現(xiàn)最大程度的靈活控制。高側(cè)偏置電壓在內(nèi)部被鉗位為 5.2V，可防止柵極電壓超過增強(qiáng)模式 GaN FET 的最大柵極/源極電壓額定值。器件的輸入與 TTL 邏輯兼容，無論 VDD 電壓多高，它都能夠承受高達(dá) 14V 的輸入電壓。LM5113-Q1 具有分柵輸出的能力，可獨(dú)立靈活地調(diào)節(jié)開通和關(guān)斷強(qiáng)度。\n\n此外，LM5113-Q1 具有非常可靠的灌電 ? 符合汽車應(yīng)用 標(biāo)準(zhǔn) \n? 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列特性： \n? 器件溫度 1 級：–40°C 至 125°C 的環(huán)境工作溫度范圍 \n? 器件 HBM ESD 分類等級 1C\n? 器件帶電器件模型 (CDM) ESD 分類等級 C6 \n \n? 獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)TTL 邏輯輸入\n? 1.2A 峰值拉電流能力，5A 峰值灌電流能力\n? 高側(cè)浮動(dòng)偏置電壓軌工作電壓高達(dá) 100VDC\n? 內(nèi)部自舉電源電壓鉗位 \n? 分離輸出實(shí)現(xiàn)可調(diào)的開通和關(guān)斷應(yīng)力\n? 0.6? 下拉電阻，2.1? 上拉電阻 \n? 快速傳播時(shí)間（典型值為 28ns）\n? 優(yōu)異的傳播延遲（典型值;

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德州儀器

Package：10-WDFN 裸露焊盤；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動(dòng)器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

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