5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs

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LM5113 5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs

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100-V, 1.2-A, 5-A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs

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5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs

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增強(qiáng)模式 GaN FET 的 5A、100V 半橋接閘極驅(qū)動(dòng)器

LM5113 設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)采用同步降壓或半橋配置的高側(cè)和低側(cè)增強(qiáng)模式氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)。浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)工作電壓高達(dá) 100V 的增強(qiáng)模式 GaN FET。該器件采用自舉技術(shù)生成高側(cè)偏置電壓，并在內(nèi)部將其鉗位在 5.2V，從而防止柵極電壓超出增強(qiáng)模式 GaN FET 的最大柵源電壓額定值。LM5113 的輸入與 TTL 邏輯兼容，并且無(wú)論 VDD 電壓如何，最高都能夠承受 14V 的輸入電壓。LM5113 具有分離柵極輸出，允許單獨(dú)而靈活地調(diào)節(jié)導(dǎo)通和關(guān)斷強(qiáng)度。此外，LM5113 具有強(qiáng)勁的灌電流能力，可使柵極保持低電平狀態(tài)，從而防止開(kāi)關(guān)操作期間發(fā)生意外導(dǎo)通。LM ? 獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)晶體管-晶體管邏輯電路 (TTL) 邏輯輸入\n? 1.2A/5A 峰值拉/灌電流\n? 高側(cè)浮動(dòng)偏置電壓軌工作電壓高達(dá) 100 VDC\n? 內(nèi)部自舉電源電壓鉗位 \n? 分離輸出實(shí)現(xiàn)可調(diào)的開(kāi)通/關(guān)斷強(qiáng)度\n? 0.6?/2.1? 下拉/上拉電阻 \n? 快速傳播時(shí)間（典型值為 28ns）\n? 優(yōu)異的傳播延遲（典型值為 1.5ns)\n? 電源軌欠壓鎖定\n? 低功耗;

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100-V, 1.2-A, 5-A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs

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100-V, 1.2-A, 5-A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs

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