| 型號(hào) | 下載 訂購(gòu) | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
LF356N | WIDE BANDWIDTH SINGLE J-FET OPERATIONAL AMPLIFIERS DESCRIPTION These circuits are monolithic J-FET input operational amplifiers incorporating well matched, high voltage J-FET on the same chip with standard bipolar transistors. This amplifiers feature low input bias and offset currents, low input offset voltage and input offset voltage drift,coup 文件：250.11 Kbytes 頁(yè)數(shù)：14 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體 | STMICROELECTRONICS | |
LF356N | JFET Input Operational Amplifiers 文件：1.07929 Mbytes 頁(yè)數(shù)：23 Pages | NSC 國(guó)半 | NSC | |
LF356N | Series Monolithic JFET Input Operational Amplifiers 文件：543.17 Kbytes 頁(yè)數(shù)：15 Pages | NSC 國(guó)半 | NSC | |
LF356N | JFET Input Operational Amplifiers 文件：2.37666 Mbytes 頁(yè)數(shù)：43 Pages | TI 德州儀器 | TI | |
LF356N | JFET Input Operational Amplifiers 文件：2.11476 Mbytes 頁(yè)數(shù)：32 Pages | TI 德州儀器 | TI | |
LF356N | LF155/LF156/LF256/LF257/LF355/LF356/LF357 JFET Input Operational Amplifiers 文件：2.11476 Mbytes 頁(yè)數(shù)：32 Pages | TI 德州儀器 | TI | |
絲?。?strong>LF356N；Package：PDIP(P)；LFx5x JFET Input Operational Amplifiers 1 Features 1? Advantages – Replace Expensive Hybrid and Module FET Op Amps – Rugged JFETs Allow Blow-Out Free Handling Compared With MOSFET Input Devices – Excellent for Low Noise Applications Using Either High or Low Source Impedance—Very Low 1/f Corner – Offset Adjust Does Not Degrade D 文件：2.10242 Mbytes 頁(yè)數(shù)：47 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
絲?。?strong>LF356N；Package：PDIP(P)；LFx5x JFET Input Operational Amplifiers 1 Features 1? Advantages – Replace Expensive Hybrid and Module FET Op Amps – Rugged JFETs Allow Blow-Out Free Handling Compared With MOSFET Input Devices – Excellent for Low Noise Applications Using Either High or Low Source Impedance—Very Low 1/f Corner – Offset Adjust Does Not Degrade D 文件：2.10242 Mbytes 頁(yè)數(shù)：47 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
絲?。?strong>LF356N；Package：PDIP(P)；LFx5x JFET Input Operational Amplifiers 1 Features 1? Advantages – Replace Expensive Hybrid and Module FET Op Amps – Rugged JFETs Allow Blow-Out Free Handling Compared With MOSFET Input Devices – Excellent for Low Noise Applications Using Either High or Low Source Impedance—Very Low 1/f Corner – Offset Adjust Does Not Degrade D 文件：2.10242 Mbytes 頁(yè)數(shù)：47 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
絲?。?strong>LF356N；Package：PDIP(P)；LFx5x JFET Input Operational Amplifiers 1 Features 1? Advantages – Replace Expensive Hybrid and Module FET Op Amps – Rugged JFETs Allow Blow-Out Free Handling Compared With MOSFET Input Devices – Excellent for Low Noise Applications Using Either High or Low Source Impedance—Very Low 1/f Corner – Offset Adjust Does Not Degrade D 文件：2.10242 Mbytes 頁(yè)數(shù)：47 Pages | TI 德州儀器 | TI |
替換型號(hào)
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
LF356N
- 功能描述：
運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 通道數(shù)量：
4
- 共模抑制比（最小值）：
63 dB
- 輸入補(bǔ)償電壓：
1 mV
- 輸入偏流（最大值）：
10 pA
- 工作電源電壓：
2.7 V to 5.5 V
- 安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
QFN-16
- 轉(zhuǎn)換速度：
0.89 V/us
- 關(guān)閉：
No
- 輸出電流：
55 mA
- 最大工作溫度：
+ 125 C
- 封裝：
Reel
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州儀器 |
25+ |
null |
32360 |
TI/德州儀器全新特價(jià)LF356N即刻詢(xún)購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
NS |
20+ |
DIP8 |
2860 |
原廠(chǎng)原裝正品價(jià)格優(yōu)惠公司現(xiàn)貨歡迎查詢(xún) |
詢(xún)價(jià) | ||
NS |
11+ |
DIP |
62000 |
原裝正品現(xiàn)貨優(yōu)勢(shì)18 |
詢(xún)價(jià) | ||
HARRIS-NS |
24+ |
DIP8 |
85743 |
全新原裝正品!現(xiàn)貨庫(kù)存!可開(kāi)13點(diǎn)增值稅發(fā)票 |
詢(xún)價(jià) | ||
NS |
23+ |
DIP-8 |
56000 |
詢(xún)價(jià) | |||
TI/德州儀器 |
24+ |
DIP |
3580 |
原裝現(xiàn)貨/15年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)歡迎詢(xún)價(jià) |
詢(xún)價(jià) | ||
NS/國(guó)半 |
24+ |
DIP8 |
2000 |
全新原裝深圳倉(cāng)庫(kù)現(xiàn)貨有單必成 |
詢(xún)價(jià) | ||
TI/德州儀器 |
22+ |
DIP-8 |
500000 |
原裝現(xiàn)貨支持實(shí)單價(jià)優(yōu)/含稅 |
詢(xún)價(jià) | ||
NS |
24+ |
DIP |
6800 |
詢(xún)價(jià) | |||
TI/德州儀器 |
2023+ |
DIP |
53200 |
正品,原裝現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) |
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