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IXTT16N10D2	文件：374.05 Kbytes Page：2 Pages	Depletion Mode MOSFET FEATURES · Drain Current -ID（on)=16A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSX= 100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 64mΩ(Max)@VGS= 0V APPLICATIONS ·Audio Amplifiers ·Start-up Circuits ·Protection Circuits 文件：374.05 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IXTT16N10D2	文件：178.33 Kbytes Page：5 Pages	Depletion Mode MOSFET 文件：178.33 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	IXYS 艾賽斯	IXYS
IXTT16N10D2	文件：201.98 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 文件：201.98 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	IXYS 艾賽斯	IXYS
IXTT16N10D2	文件：300 bytes Page：1 Pages	N溝道耗盡型MOSFET ? “常開”運行狀態(tài)\n? 線性模式容限\n? 較低的RDS(on)\n? 可使用體二極管\n? 內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)封裝\n? 擁有UL 94 V-0易燃性認(rèn)證成型環(huán)氧樹脂;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXTT16N10D2_17	文件：201.98 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 文件：201.98 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	IXYS 艾賽斯	IXYS

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京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	IXTT16N10D2	IXYS/艾賽斯	25+	TO-268	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
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更多IXTT16N10D2供應(yīng)商更新時間2026-1-22 8:02:00