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    IXTT10P60

    Power MOSFETs

    Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features ? International Standard Packages ? Low RDS (on) HDMOSTM Process ? Rugged Polysilicon Gate Cell Structure ? Avalanche Rated ? Low Package Inductance - Easy to Drive and to Protect Advantages ? Easy to Mount ? Space Savings

    文件:134.48 Kbytes 頁(yè)數(shù):5 Pages

    IXYS

    艾賽斯

    IXTT10P60

    P通道MOSFET

    ? 低RDS(on) HDMOS過(guò)程\n? 堅(jiān)固的多晶硅柵極單元結(jié)構(gòu)\n? 雪崩評(píng)級(jí)\n? 較低的封裝電感\(zhòng)n? 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)包裝;

    Littelfuse

    力特

    S10P60PT

    SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

    文件:58.31 Kbytes 頁(yè)數(shù):2 Pages

    CHENMKO

    力勤

    TK10P60W

    MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS??

    文件:246.1 Kbytes 頁(yè)數(shù):10 Pages

    TOSHIBA

    東芝

    TK10P60W

    isc N-Channel MOSFET Transistor

    文件:320.62 Kbytes 頁(yè)數(shù):2 Pages

    ISC

    無(wú)錫固電

    詳細(xì)參數(shù)

    • 型號(hào):

      IXTT10P60

    • 功能描述:

      MOSFET -10 Amps -600V 1 Rds

    • RoHS:

    • 制造商:

      STMicroelectronics

    • 晶體管極性:

      N-Channel

    • 汲極/源極擊穿電壓:

      650 V

    • 閘/源擊穿電壓:

      25 V

    • 漏極連續(xù)電流:

      130 A 電阻汲極/源極

    • RDS(導(dǎo)通):

      0.014 Ohms

    • 配置:

      Single

    • 安裝風(fēng)格:

      Through Hole

    • 封裝/箱體:

      Max247

    • 封裝:

      Tube

    供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
    IXYS
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    IXYX
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    一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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    更多IXTT10P60供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-22 10:19:00

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