首頁(yè) >IXTH36N20T>規(guī)格書列表
| 型號(hào) | 下載 訂購(gòu) | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IXTH36N20T | Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) 描述：MOSFET N-CH 200V 36A TO247 | IXYS 艾賽斯 | IXYS | |
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：301.57 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
N-Channel Enhancement Mode 文件：72.55 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages | IXYS 艾賽斯 | IXYS | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 36A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 70mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co 文件：362.81 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
IXTH36N20T
- 制造商：
IXYS
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 系列：
Trench
- 包裝：
管件
- FET 類型：
N 通道
- 技術(shù)：
MOSFET（金屬氧化物）
- 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：
36A（Tc）
- 安裝類型：
通孔
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247（IXTH）
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 描述：
MOSFET N-CH 200V 36A TO247
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
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IXYS |
25+ |
TO-247 |
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詢價(jià) | ||
IXYS |
22+ |
NA |
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IXYS |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
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IXYS |
2022+ |
TO-247-3 |
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
25+ |
TO-247 |
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IXYS |
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TO-247 |
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IXYS |
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