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ISB3047	文件：276.48 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage : V(BR)CEO= -350V ·Good Linearity of hFE ·Complement to Type ISB3046 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：276.48 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
KBPC3047	文件：102.05 Kbytes Page：2 Pages	30 AMP AVALANCHE BRIDGES 30 AMP AVALANCHE BRIDGES ● 2000V isolation - Terminals to Base ● Low Forward Voltage Drip ● Copper Mounting Pad for Low Thermal Resistance ● 30 A DC at 80°C Case Temp. ● Glass Passivated Die 文件：102.05 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
KBPC3047	文件：128.56 Kbytes Page：2 Pages	SILICON BRIDGE RECTIFIERS 文件：128.56 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	EIC	EIC
MA3047	文件：108 Kbytes Page：7 Pages	Silicon planar type Silicon planar type For stabilization of power supply ■ Features ? Mini type package (3-pin) ? Allowing to achieve a high-density set ? Sharp rising performance ? Wide voltage range: VZ = 2.0 V to 36 V 文件：108 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC

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更多ISB3047供應商更新時間2026-1-21 14:04:00