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IRLR014PBF	文件：2.16738 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The st 文件：2.16738 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRLR014PBF.	文件：1.12217 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET? Power MOSFET 文件：1.12217 Mbytes 頁數(shù)：10 Pages	IRF	IRF
IRLR014TR	文件：2.16738 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The st 文件：2.16738 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRLR014TRL	文件：2.16738 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The st 文件：2.16738 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRLR014TRLPBF	文件：2.16738 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The st 文件：2.16738 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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IRLR014_10	文件：2.24711 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：2.24711 Mbytes 頁數(shù)：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRLR014A	文件：373.45 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：373.45 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IRLR014NPBF	文件：293.41 Kbytes Page：10 Pages	Logic-Level Gate Drive 文件：293.41 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	IRF	IRF
IRLR014NTRPBF	文件：293.41 Kbytes Page：10 Pages	Logic-Level Gate Drive 文件：293.41 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	IRF	IRF

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRLR014
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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