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IRGPF30F	文件：256.66 Kbytes Page：6 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V, @Vge=15V, Ic=11A) Description Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of 文件：256.66 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	IRF	IRF
IRGPF30F	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 頁數(shù)：35 Pages	IRF	IRF
IRGPF30F	文件：300 bytes Page：1 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V, @Vge=15V, Ic=11A)	Infineon 英飛凌	Infineon
IRGPS4067DPBF	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-247	IR 國際整流器上傳：深圳市億鴻豐電子科技有限公司	IR
IRGPS60B120KDP	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-247	IR 國際整流器上傳：深圳市匯創(chuàng)佳電子科技有限公司	IR

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