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    IRG4PC50KDPBF

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

    Features ? Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operation frequencies > 5.0 kHz, and Short Circuit Rated to 10μs @ 125°C, VGE = 15V ? Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 ? IGBT co-packaged with HEXFRE

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    IRF

    IRG4PC50KDPBF

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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    IRG4PC50KDPBF_15

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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    IRF

    IRG4PC50KDPBF

    Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 52A 200W TO247AC

    INFINEON

    英飛凌

    產(chǎn)品屬性

    • 產(chǎn)品編號:

      IRG4PC50KDPBF

    • 制造商:

      Infineon Technologies

    • 類別:

      分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

    • 包裝:

      管件

    • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

      2.2V @ 15V,30A

    • 開關(guān)能量:

      1.61mJ(開),840μJ(關(guān))

    • 輸入類型:

      標準

    • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

      63ns/150ns

    • 測試條件:

      480V,30A,5 歐姆,15V

    • 工作溫度:

      -55°C ~ 150°C(TJ)

    • 安裝類型:

      通孔

    • 封裝/外殼:

      TO-247-3

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      TO-247AC

    • 描述:

      IGBT 600V 52A 200W TO247AC

    供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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    更多IRG4PC50KDPBF供應(yīng)商 更新時間2026-1-22 17:07:00

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