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    IRG4PH50KDPBF

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

    文件:681.01 Kbytes 頁(yè)數(shù):11 Pages

    IRF

    IRG4PH50KDPBF

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

    文件:681.97 Kbytes 頁(yè)數(shù):11 Pages

    IRF

    IRG4PH50KDPBF_15

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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    IRF

    IRG4PH50KDPBF

    Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1200V 45A 200W TO247AC

    INFINEON

    英飛凌

    產(chǎn)品屬性

    • 產(chǎn)品編號(hào):

      IRG4PH50KDPBF

    • 制造商:

      Infineon Technologies

    • 類別:

      分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

    • 包裝:

      管件

    • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

      3.5V @ 15V,24A

    • 開關(guān)能量:

      3.83mJ(開),1.9mJ(關(guān))

    • 輸入類型:

      標(biāo)準(zhǔn)

    • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

      87ns/140ns

    • 測(cè)試條件:

      800V,24A,5 歐姆,15V

    • 工作溫度:

      -55°C ~ 150°C(TJ)

    • 安裝類型:

      通孔

    • 封裝/外殼:

      TO-247-3

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      TO-247AC

    • 描述:

      IGBT 1200V 45A 200W TO247AC

    供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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    全新原裝 貨期兩周
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    更多IRG4PH50KDPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-22 23:00:00

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