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    IRG4IBC30WPBF

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

    Features ? Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications ? 2.5kV, 60s insulation voltage ? ndustry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies ? 50 reduction of Eoff parameter ? Low IGBT conduction

    文件:254.84 Kbytes 頁數(shù):8 Pages

    IRF

    IRG4IBC30WPBF

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

    文件:263.95 Kbytes 頁數(shù):9 Pages

    IRF

    IRG4IBC30WPBF_15

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

    文件:263.95 Kbytes 頁數(shù):9 Pages

    IRF

    IRG4IBC30WPBF

    Package:TO-220-3 整包;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 17A 45W TO220FP

    INFINEON

    英飛凌

    產(chǎn)品屬性

    • 產(chǎn)品編號(hào):

      IRG4IBC30WPBF

    • 制造商:

      Infineon Technologies

    • 類別:

      分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

    • 包裝:

      管件

    • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

      2.7V @ 15V,12A

    • 開關(guān)能量:

      130μJ(開),130μJ(關(guān))

    • 輸入類型:

      標(biāo)準(zhǔn)

    • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

      25ns/99ns

    • 測(cè)試條件:

      480V,12A,23 歐姆,15V

    • 工作溫度:

      -55°C ~ 150°C(TJ)

    • 安裝類型:

      通孔

    • 封裝/外殼:

      TO-220-3 整包

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      TO-220AB 整包

    • 描述:

      IGBT 600V 17A 45W TO220FP

    供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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    更多IRG4IBC30WPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-22 13:00:00

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