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    IRG4BC30KDPBF

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast 1GBT

    Features ? High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10μs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V ? Combines low conduction losses with high switching speed ? tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations ? IGBT co-packag

    文件:321.45 Kbytes 頁數(shù):11 Pages

    IRF

    IRG4BC30KDPBF

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

    文件:347.44 Kbytes 頁數(shù):10 Pages

    IRF

    IRG4BC30KDPBF_15

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

    文件:347.44 Kbytes 頁數(shù):10 Pages

    IRF

    IRG4BC30KDPBF

    Package:TO-220-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 28A 100W TO220AB

    INFINEON

    英飛凌

    產(chǎn)品屬性

    • 產(chǎn)品編號(hào):

      IRG4BC30KDPBF

    • 制造商:

      Infineon Technologies

    • 類別:

      分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

    • 包裝:

      管件

    • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

      2.7V @ 15V,16A

    • 開關(guān)能量:

      600μJ(開),580μJ(關(guān))

    • 輸入類型:

      標(biāo)準(zhǔn)

    • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

      60ns/160ns

    • 測試條件:

      480V,16A,23 歐姆,15V

    • 工作溫度:

      -55°C ~ 150°C(TJ)

    • 安裝類型:

      通孔

    • 封裝/外殼:

      TO-220-3

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      TO-220AB

    • 描述:

      IGBT 600V 28A 100W TO220AB

    供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
    IR
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    保證進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十
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    INFINEON/英飛凌全新特價(jià)IRG4BC30KDPBF即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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    Infineon 
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    原裝優(yōu)勢現(xiàn)貨,用芯服務(wù)(fang)
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    IR代理原包原盒,假一罰十。最低價(jià)
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    更多IRG4BC30KDPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-23 9:34:00

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