INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

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IRF

600V Fast 1-8 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package

600V IGBT 與快速 1-8 kHz 軟恢復(fù)二極管聯(lián)合封裝到 TO-220AB 封裝中。 ? 對中等工作頻率進(jìn)行了優(yōu)化\n? 參數(shù)分布更緊湊，效率更高\(yùn)n? 與 HEXFREDTM 超快、超軟恢復(fù)反并聯(lián)二極管聯(lián)合封裝的 IGBT，在橋配置中使用\n? 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) TO-220AB 封裝\n? 無鉛\n\n優(yōu)勢:\n? IGBT 提供可實(shí)現(xiàn)的出色效率\n? 針對特定應(yīng)用條件進(jìn)行過優(yōu)化的 IGBT\n? HEXFRED 二極管與 IGBT 并用優(yōu)化?；謴?fù)特性最小化，對緩沖的要求更少甚至不需要。\n? 旨在“直接替代”同等行業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)的第三代 IR IGBT;

Infineon

英飛凌

600V HyperFast 1-8 kHz Co-Pack IGBT in a D2-Pak package

600V IGBT 與 hyperfast 1-8 kHz 二極管聯(lián)合封裝到 D2-Pak 封裝中 ? 對中等工作頻率進(jìn)行了優(yōu)化\n? 參數(shù)分布更緊湊，效率更高\(yùn)n? 與 HEXFREDTM超快、超軟恢復(fù)反并聯(lián)二極管聯(lián)合封裝的 IGBT\n? 無鉛\n\n優(yōu)勢:\n? IGBT 提供可實(shí)現(xiàn)的出色效率\n? 針對特定應(yīng)用條件進(jìn)行過優(yōu)化的 IGBT\n? HEXFRED 二極管與 IGBT 并用優(yōu)化。恢復(fù)特性最小化，對緩沖的要求更少甚至不需要。\n? 旨在“直接替代”同等行業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)的第三代 IR IGBT;

Infineon

英飛凌

600V 快速 1-5 kHz 硬開關(guān)Copack IGBT，采用 TO-220AB 封裝， >20kHz 諧振模式

Infineon

英飛凌

Package：TO-220-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 31A 100W TO220AB

INFINEON

英飛凌

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 31A 100W TO220AB

INFINEON

英飛凌

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 31A 100W TO220AB

INFINEON

英飛凌