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    IRG4BC20FPBF

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

    Features ? Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). ? Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 ? Industry standard TO-220AB package ? Lead-Free Benef

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    IRF

    IRG4BC20FPBF

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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    IRF

    IRG4BC20FPBF_15

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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    IRF

    IRG4BC20FPBF

    Package:TO-220-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 16A 60W TO220AB

    INFINEON

    英飛凌

    產(chǎn)品屬性

    • 產(chǎn)品編號:

      IRG4BC20FPBF

    • 制造商:

      Infineon Technologies

    • 類別:

      分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

    • 包裝:

      管件

    • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

      2V @ 15V,9A

    • 開關(guān)能量:

      70μJ(開),600μJ(關(guān))

    • 輸入類型:

      標準

    • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

      24ns/190ns

    • 測試條件:

      480V,9A,50 歐姆,15V

    • 工作溫度:

      -55°C ~ 150°C(TJ)

    • 安裝類型:

      通孔

    • 封裝/外殼:

      TO-220-3

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      TO-220AB

    • 描述:

      IGBT 600V 16A 60W TO220AB

    供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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    更多IRG4BC20FPBF供應(yīng)商 更新時間2026-1-22 10:31:00

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