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IRFP260NPBF	文件：200.69 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：200.69 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRFP260NPBF	文件：325.38 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor ? FEATURES ? With TO-247 packaging ? Ease of paralleling ? High speed switching ? Hard switched and high frequency circuits ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ? APPLICATIONS ? Switching applications 文件：325.38 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IRFP260NPBF	文件：186.11 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology 文件：186.11 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRFP260NPBF_15	文件：186.11 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology 文件：186.11 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	IRF	IRF

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更多IRFP260NPBF供應(yīng)商更新時間2026-1-22 11:04:00