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    IRFI644GPBF

    Power MOSFET

    DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES ? Isolated Package ? High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz) ? Sink

    文件:1.41435 Mbytes 頁數(shù):8 Pages

    VISHAYVishay Siliconix

    威世威世科技公司

    IRFI644GPBF

    Power MOSFET

    文件:702.01 Kbytes 頁數(shù):10 Pages

    VISHAYVishay Siliconix

    威世威世科技公司

    IRFI644GPBF

    HEXFET Power MOSFET

    文件:1.36816 Mbytes 頁數(shù):8 Pages

    IRF

    IRFI644GPBF

    MOSFET N-CH250V HEXFET MOSFET

    Vishay

    威世

    IRFI644GPBF

    HEXFET Power MOSFET

    Infineon

    英飛凌

    詳細(xì)參數(shù)

    • 型號(hào):

      IRFI644GPBF

    • 功能描述:

      MOSFET N-Chan 250V 7.9 Amp

    • RoHS:

    • 制造商:

      STMicroelectronics

    • 晶體管極性:

      N-Channel

    • 汲極/源極擊穿電壓:

      650 V

    • 閘/源擊穿電壓:

      25 V

    • 漏極連續(xù)電流:

      130 A 電阻汲極/源極

    • RDS(導(dǎo)通):

      0.014 Ohms

    • 配置:

      Single

    • 安裝風(fēng)格:

      Through Hole

    • 封裝/箱體:

      Max247

    • 封裝:

      Tube

    供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
    VISHAY
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    原裝現(xiàn)貨假一罰十
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    全新原裝 貨期兩周
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    更多IRFI644GPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-21 14:10:00

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