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IRFBC42	文件：66.91 Kbytes Page：7 Pages	6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. Features ? 6.2A and 5.4A, 600V ? rDS(ON) = 1.2? and 1.6? ? Repetitive Avalanche Energy Rated ? Simple Drive Requirements ? Ease of Paralleling ? Related Literature - TB334, “Guidelines f 文件：66.91 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	HARRIS	HARRIS
IRFBC42R	文件：66.99 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：66.99 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IRFBC42	文件：300 bytes Page：1 Pages	6.2A and 5.4A/ 600V/ 1.2 and 1.6 Ohm/ N-Channel Power MOSFETs	Renesas 瑞薩	Renesas
IRFBE30PBF	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO220	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司上傳：深圳市旺財(cái)半導(dǎo)體有限公司	VISHAY
IRFBE30PBF	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220	VISHAY/威世上傳：深圳市華芯偉電子科技有限公司	VISHAY/威世

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