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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRF821	文件：157.18 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V 文件：157.18 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
IRF821	文件：322.92 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ● Lower RDS(ON) ● Improved inductive ruggedness ● Fast switching times ● Rugged polysilicon gate cell structure ● Lower input capacitance ● Extended safe operating area ● Improved high temperature reliability 文件：322.92 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
IRF821	文件：140.22 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS TMOS POWER FETs 2 and 2.5 AMPERES rDS(on) = 3 OHM 450 and 500 VOLTS rDS(on) = 4 OHM 450 VOLTS 文件：140.22 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
IRF822	文件：169.46 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS APPLICATIONS ■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWICHING ■ SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS) ■ CHOPPER REGULATORS, CONVERTERS, MOTOR CONTROL, LIGHTING FOR INDUSTRIAL AND CONSUMER ENVIRONMENT 文件：169.46 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
IRF822	文件：322.92 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ● Lower RDS(ON) ● Improved inductive ruggedness ● Fast switching times ● Rugged polysilicon gate cell structure ● Lower input capacitance ● Extended safe operating area ● Improved high temperature reliability 文件：322.92 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
IRF822	文件：157.18 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V 文件：157.18 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
IRF822FI	文件：169.46 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS APPLICATIONS ■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWICHING ■ SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS) ■ CHOPPER REGULATORS, CONVERTERS, MOTOR CONTROL, LIGHTING FOR INDUSTRIAL AND CONSUMER ENVIRONMENT 文件：169.46 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
IRF823	文件：140.22 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS TMOS POWER FETs 2 and 2.5 AMPERES rDS(on) = 3 OHM 450 and 500 VOLTS rDS(on) = 4 OHM 450 VOLTS 文件：140.22 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
IRF823	文件：322.92 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ● Lower RDS(ON) ● Improved inductive ruggedness ● Fast switching times ● Rugged polysilicon gate cell structure ● Lower input capacitance ● Extended safe operating area ● Improved high temperature reliability 文件：322.92 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
IRF823	文件：157.18 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V 文件：157.18 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD

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技術(shù)參數(shù)

Peak Inverse Voltage PIV (V)：
600
Peak Fwd. Surge Current @ 8.3ms Superimposed Ifsm (A)：
?
Package：
?

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
諦輝(北京/上海/青島 )電子科技有限公司	IRF820	IR	25+	PLCC44	18000	原廠直接發(fā)貨進(jìn)口原裝	詢價(jià)
深圳市聯(lián)世界科技有限公司	IRF820	IR	24+/25+		25	原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu)	詢價(jià)
深圳市福田區(qū)綠盛電子商行	IRF820	ST	2015+	SO220	19889	一級(jí)代理原裝現(xiàn)貨,特價(jià)熱賣!	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	IRF820PBF	VIS	25+	TO-220	10110	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRF820B	IR	15+	TO-220	11560	全新原裝,現(xiàn)貨庫存,長(zhǎng)期供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRF820S	IR	24+	D2-Pak	8866		詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	IRF820	IR	17+	TO-220	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
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更多IRF82供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 16:48:00

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