首頁 >IRF7902PBF>規(guī)格書列表
| 型號(hào) | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IRF7902PBF | HEXFET Power MOSFET 文件：261.31 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages | IRF | IRF | |
IRF7902PBF | Improved Body Diode Reverse Recovery 文件：266.85 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages | IRF | IRF | |
Improved Body Diode Reverse Recovery 文件：266.85 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages | IRF | IRF | ||
Ratio-metric Linear Hall Effect Sensor 文件：119.96 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | MPOWERMajor-Power Technology Co., LTD. 久昌科技久昌科技股份有限公司 | MPOWER | ||
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600V 30A Insulated Gate Bipolar Transistor lFeatures 1) Trench Light Punch Through Type 2) Low Collector - Emitter Saturation Voltage 3) Soft Switching lApplication Partial Switching PFC Discharge Circuit Brake for Inverter 文件：246.23 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | ROHM 羅姆 | ROHM |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
IRF7902PBF
- 功能描述：
MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS MAX
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
8-SOIC |
1043 |
詢價(jià) | |||
IR |
18+ |
SOIC-8 |
32465 |
全新原裝現(xiàn)貨,可出樣品,可開增值稅發(fā)票 |
詢價(jià) | ||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價(jià) | |||
IR |
24+ |
65230 |
詢價(jià) | ||||
IR |
2447 |
SOIC-8 |
100500 |
一級(jí)代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨 |
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IR |
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SOIC-8 |
9600 |
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Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
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詢價(jià) | ||
IR |
25+ |
SOIC-8 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
22+ |
8SO |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) |
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