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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRF744PBF	文件：1.00282 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipatio 文件：1.00282 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF744PBF	文件：243.07 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power 文件：243.07 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRFI744G	文件：261.17 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=450V, Rds(on)=0.63ohm, Id=4.9A) DESCRIPTION Third Generation Power MOSFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-ind 文件：261.17 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRFI744G	文件：1.74605 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applicat 文件：1.74605 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFI744GPBF	文件：1.74605 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applicat 文件：1.74605 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF744PBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 450V 8.8 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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瀚佳科技(深圳)有限公司	IRF744PBF	IR/VISH	24+		65230		詢價(jià)
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