| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
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IRF7464 | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.73ohm, Id=1.2A) SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC convert 文件：168.93 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | IRF | IRF | |
IRF7464 | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.73ohm, Id=1.2A) | Infineon 英飛凌 | Infineon | |
HEXET Power MOSFET SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC convert 文件：125.09 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | IRF | IRF | ||
Infrared Remote Control Transmitter IC
文件：155.06 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | SANYO 三洋 | SANYO | ||
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文件：155.06 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | SANYO 三洋 | SANYO | ||
CATV 75(ohm) pHEMT Dual RF Amplifier 文件：1.49119 Mbytes 頁數(shù)：11 Pages | TRIQUINT | TRIQUINT |
詳細參數(shù)
- 型號：
IRF7464
- 功能描述：
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2024+ |
N/A |
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SOP8 |
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 |
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