| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
Ultra Low On-Resistance 文件：220.51 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages | IRF | IRF | ||
Ultra Low On-Resistance Dual N-Channel MOSFET 文件：220.51 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages | IRF | IRF | ||
Ultra Low On-Resistance 文件：220.51 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages | IRF | IRF | ||
Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：200.58 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages | IRF | IRF | ||
Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：200.58 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages | IRF | IRF | ||
HEXFET Power MOSFET 文件：224.51 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages | IRF | IRF | ||
20V 雙 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封裝 | Infineon 英飛凌 | Infineon | ||
Dual FETKY CO-PACKAGED DUAL MOSFET PLUS SCHOTTKY DIODE | Infineon 英飛凌 | Infineon |
技術(shù)參數(shù)
- Minimum Operating Temperature：
-55°C
- Maximum Power Dissipation：
2000mW
- Maximum Operating Temperature：
150°C
- Maximum Gate Source Voltage：
±20V
- Maximum Drain Source Voltage：
30V
- Maximum Continuous Drain Current：
4.7A
- Material：
Si
- Configuration：
Single Dual Drain
- Channel Type：
P
- Channel Mode：
Enhancement
- Category：
Power MOSFET
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
har |
24+ |
N/A |
6980 |
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票 |
詢價 | ||
FSC |
23+ |
TO-220 |
8560 |
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣! |
詢價 | ||
SIL |
23+ |
65480 |
詢價 | ||||
IR/FSC |
22+ |
TO-263 |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價 | ||
har |
2023+ |
原廠封裝 |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
TO-220 |
89194 |
詢價 | |||
IR |
23+ |
TO-220 |
188 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
FSC |
24+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己庫存 全新原裝進口正品假一賠百 可開13%增 |
詢價 | ||
IR(國際整流器) |
25+ |
封裝 |
500000 |
源自原廠成本,高價回收工廠呆滯 |
詢價 | ||
IR |
24+/25+ |
3000 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu) |
詢價 |
更多IRF733供應(yīng)商
更新時間2026-1-21 16:10:00
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- PERICOMPI7C8150
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