| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 UIS Tested ? 100 Rg Tested ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS ? Set Top Box ? Low Current DC/DC 文件：1.16241 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages | VBSEMI 微碧半導體 | VBSEMI | ||
絲印：F7303；Package：SOP-8；Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GENERAL FEATURES @ Ros(oN =35 mO@VGS=10V ? Ros =45 mO@VGS=4.5V ‘@ Super high density cell design for extremely low Ros(oN) ? Exceptional on-resistance and maximum DC curent capability 文件：2.19004 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages | TECHPUBLIC 臺舟電子 | TECHPUBLIC | ||
GENERATION V TECHNOLOGY 文件：236.1 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages | IRF | IRF | ||
GENERATION V TECHNOLOGY 文件：236.1 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages | IRF | IRF | ||
HEXFET Power MOSFET 文件：247.81 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages | IRF | IRF | ||
HEXFETPOWERMOSET 文件：244.54 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages | IRF | IRF | ||
HEXFET Power MOSFET | Infineon 英飛凌 | Infineon |
技術參數(shù)
- OPN：
IRF7303TRPBF
- Qualification：
Non-Automotive
- Package name：
SO8
- VDS max：
30 V
- RDS (on) @10V max：
50 m?
- RDS (on) @4.5V max：
80 m?
- ID @25°C max：
5.3 A
- QG typ @10V：
16.7 nC
- Polarity：
N+N/N+N
- VGS(th) min：
1 V
- Technology：
IR MOSFET?
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
20+21+ |
SOP |
58550 |
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詢價 | ||
IR |
0525+ |
SOP8 |
6 |
原裝正品 可含稅交易 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
SOP8 |
21055 |
原裝正品，實單請聯(lián)系 |
詢價 | ||
IR |
25+ |
SOP8 |
12500 |
全新原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價 | ||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
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IRF |
24+ |
SOP-8P |
1200 |
現(xiàn)貨 |
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IR |
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原廠原裝 |
5132 |
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IR |
25+ |
SOP-8 |
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- PERICOMPI7C8150
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