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首頁(yè) >IRF640NS>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRF640NS	文件：160.31 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm Features ? Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.102? (Typ), VGS = 10V ? Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE? and SABER? Electrical Models - Spice and SABER? Thermal Impedance Models ? Peak Current vs Pulse Width Curve ? UIS Rateing Curve 文件：160.31 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
IRF640NS	文件：155.4 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A) Description Fifth Generation HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well know 文件：155.4 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	IRF	IRF
IRF640NS	文件：1.19709 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry. The D2Pak is a surfac 文件：1.19709 Mbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRF640NS	文件：240.04 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：240.04 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	IRF	IRF
IRF640NS	文件：248.99 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：248.99 Kbytes 頁(yè)數(shù)：12 Pages	IRF	IRF
IRF640NSPBF	文件：300.8 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET? Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well know 文件：300.8 Kbytes 頁(yè)數(shù)：12 Pages	IRF	IRF
IRF640NSPBF	文件：8.24278 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175 Operating Temperature Description Fifth Generation HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well know 文件：8.24278 Mbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRF640NSPBF	文件：341.59 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：341.59 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	IRF	IRF
IRF640NSPBF	文件：341.59 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：341.59 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	IRF	IRF
IRF640NSRPBF	文件：248.99 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：248.99 Kbytes 頁(yè)數(shù)：12 Pages	IRF	IRF

技術(shù)參數(shù)

OPN：
IRF640NSTRLPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
D2PAK
VDS max：
200 V
RDS (on) @10V max：
150 m?
ID @25°C max：
18 A
QG typ @10V：
44.7 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET?

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多IRF640NS供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 9:20:00

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