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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRF630SPBF	文件：218.73 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：218.73 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF630SPBF	文件：986.65 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40廓 , ID = 9.0A ) 文件：986.65 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRF630SPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40Ω , ID = 9.0A )	Infineon 英飛凌	Infineon
IRF630STRLPBF	文件：175.32 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the 文件：175.32 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF630STRLPBFA	文件：218.73 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：218.73 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF630STRR	文件：175.32 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：175.32 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF630SPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
瀚佳科技(深圳)有限公司	IRF630SPBF	IR/VISH	24+		65230		詢價(jià)
艾睿（深圳）半導(dǎo)體有限公司	IRF630SPBF	VISHAY/威世	2447	SMD	100500	一級(jí)代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長期排單到貨	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	IRF630SPBF	VISHAY	25+	TO-263	3675	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
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更多IRF630SPBF供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 14:21:00

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