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IRF5800 | Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.085ohm) Description These P-channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications. ● Ultra 文件：98.42 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | IRF | IRF | |
IRF5800 | Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.085ohm) | Infineon 英飛凌 | Infineon | |
Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.085ohm) Description These P-channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications. ● Ultra 文件：98.42 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | IRF | IRF | ||
Ultra Low On-Resistance, P-Channel MOSFET 文件：114.59 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | IRF | IRF | ||
HEXFET Power MOSFET 文件：112.91 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | IRF | IRF |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號：
IRF5800
- 功能描述：
MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
25+ |
TSOP-6 |
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詢價(jià) | ||
Infineon |
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NA |
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Infineon Technologies |
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SOT236 Thin TSOT236 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
IOR |
25+ |
SOT23-6 |
3200 |
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售 |
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IC |
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IR |
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SOP8-MSOP8 |
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Infineon Technologies |
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原裝 |
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原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
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Infineon Technologies |
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TSOP-6 |
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進(jìn)口原裝,現(xiàn)貨熱賣 |
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