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    首頁>IRF331>規(guī)格書詳情

    IRF331分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

    PDF無圖
    廠商型號(hào)

    IRF331

    參數(shù)屬性

    IRF331 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 150V D2PAK

    功能描述

    N-CHANNEL POWER MOSFETS

    封裝外殼

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

    文件大小

    208.64 Kbytes

    頁面數(shù)量

    5

    生產(chǎn)廠商

    SAMSUNG

    中文名稱

    三星

    網(wǎng)址

    網(wǎng)址

    數(shù)據(jù)手冊(cè)

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    更新時(shí)間

    2026-1-22 18:51:00

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    IRF331規(guī)格書詳情

    FEATURES

    ● Low RDS(on)

    ● Improved inductive ruggedness

    ● Fast switching times

    ● Rugged polysilicon gate cell structure

    ● Low Input capacitance

    ● Extended safe operating area

    ● Improved high temperature reliability

    ● TO-3 package (Standard)

    產(chǎn)品屬性

    • 產(chǎn)品編號(hào):

      IRF3314STRR

    • 制造商:

      Infineon Technologies

    • 類別:

      分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

    • 包裝:

      卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

    • FET 類型:

      N 通道

    • 技術(shù):

      MOSFET(金屬氧化物)

    • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):

      10V

    • Vgs(最大值):

      ±20V

    • 安裝類型:

      表面貼裝型

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      D2PAK

    • 封裝/外殼:

      TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

    • 描述:

      MOSFET N-CH 150V D2PAK

    供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
    IR
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    原廠封裝
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