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IPT-1004	文件：96.18 Kbytes Page：2 Pages	IC Reference Design Transformers 文件：96.18 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ICE	ICE
IRL1004	文件：89.37 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFET? power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are wel 文件：89.37 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRL1004	文件：338.58 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor ? DESCRITION ? reliable device for use in a wide variety of applications ? FEATURES ? Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤6.5m? ? Enhancement mode ? Fast Switching Speed ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：338.58 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IRL1004L	文件：133.79 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：133.79 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	NSC 國半	NSC

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