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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IPD60R600P7S	文件：922.94 Kbytes Page：14 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/60s600p7/marking.html">60S600P7；Package：PG-TO252-3；600V CoolMOS? P7 Power Transistor 文件：922.94 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPD60R600P7S	文件：335.65 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.65 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IPD60R600P7S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Optimized superjunction MOSFETs merging high energy efficiency with ease-of-use The 600V CoolMOS? P7 superjunction (SJ) MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS? P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS? 7th generation platfor Efficiency \n ? 600V P7 enables excellent FOM R DS(on)xE oss andR DS(on)xQ G\n Ease-of-use \n ? Integrated ESD diode from 180mN and above R DS(on)s\n? Integrated gate resistor R G\n? Rugged body diode\n? Wide portfolio in through hole and surface mount packages\n? Both standard grade and industrial ;	Infineon 英飛凌	Infineon
IPN60R600P7S	文件：1.02425 Mbytes Page：14 Pages	600V CoolMOS? P7 Power Transistor 文件：1.02425 Mbytes 頁數(shù)：14 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPP60R600P7	文件：1.72742 Mbytes Page：14 Pages	600V CoolMOS? P7 Power Transistor 文件：1.72742 Mbytes 頁數(shù)：14 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPP60R600P7	文件：338.45 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.45 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC

技術(shù)參數(shù)

OPN：
IPD60R600P7SAUMA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-TO252-3
VDS max：
600 V
RDS (on) @10V max：
600 m?
ID @25°C max：
6 A
QG typ @10V：
9 nC
Special Features：
price/performance
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-40 °C
Operating Temperature max：
150 °C
VGS(th) min：
3 V
VGS(th) max：
4 V
Technology：
CoolMOS? P7

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多IPD60R600P7S供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 13:01:00

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