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|---|---|---|---|---|
IPB50CN10NG | OptiMOS?2 Power-Transistor 文件：710.62 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages | INFINEON 英飛凌 | INFINEON | |
IPB50CN10NG | OptiMOS2 Power-Transistor 文件：908.49 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages | INFINEON 英飛凌 | INFINEON | |
MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3 | Infineon 英飛凌 | Infineon | ||
OptiMOS2 Power-Transistor 文件：908.49 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages | INFINEON 英飛凌 | INFINEON | ||
OptiMOS2 Power-Transistor 文件：908.49 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages | INFINEON 英飛凌 | INFINEON | ||
OptiMOS?2 Power-Transistor 文件：710.62 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages | INFINEON 英飛凌 | INFINEON |
技術(shù)參數(shù)
- 技術(shù)：
MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：
100V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：
20A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：
10V
- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：
50 毫歐 @ 20A，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：
4V @ 20μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：
16nC @ 10V
- Vgs（最大值）：
±20V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：
1090pF @ 50V
- 功率耗散（最大值）：
44W（Tc）
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-TO263-3-2
- 封裝/外殼：
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
24+ |
D2PAK(TO-263) |
8866 |
詢價(jià) | |||
INFINEON |
2012+ |
TO-263 |
12000 |
全新原裝,絕對(duì)正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。 |
詢價(jià) | ||
INF |
23+ |
TO263 |
7010 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
INFINE0N |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
infineon |
25+ |
to-263/d2 |
32500 |
普通 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
D2PAK(TO-263) |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
VB |
25+ |
PG-TO263-3 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
2022+ |
D2PAK(TO |
12888 |
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
26+ |
Sot-223 |
86720 |
全新原裝正品價(jià)格最實(shí)惠 假一賠百 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
09+ |
TO-263 |
5000 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) |
更多IPB50CN10NG供應(yīng)商
更新時(shí)間2026-1-19 16:30:00
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- PI7C8150DNDE
- PERICOMPI7C8150
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- WNS40H100CB
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