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    IPI50CN10NG

    OptiMOS?2 Power-Transistor

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    INFINEON

    英飛凌

    IPI50CN10NG

    OptiMOS2 Power-Transistor

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    IPI50CN10NGHKSA1

    MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3

    Infineon

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    IPP50CN10N

    OptiMOS?2 Power-Transistor

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    技術(shù)參數(shù)

    • 技術(shù):

      MOSFET(金屬氧化物)

    • 漏源電壓(Vdss):

      100V

    • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):

      20A(Tc)

    • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):

      10V

    • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):

      50 毫歐 @ 20A,10V

    • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):

      4V @ 20μA

    • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):

      16nC @ 10V

    • Vgs(最大值):

      ±20V

    • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):

      1090pF @ 50V

    • 功率耗散(最大值):

      44W(Tc)

    • 工作溫度:

      -55°C ~ 175°C(TJ)

    • 安裝類型:

      通孔

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      PG-TO262-3

    • 封裝/外殼:

      TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA

    供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
    INFINEON
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    30216
    提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
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    更多IPI50CN10NG供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-22 14:02:00

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