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IPB10N03L	文件：452.29 Kbytes Page：8 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/10n03l/marking.html">10N03L；Package：TO-263-3；OptiMOS Buck converter series 文件：452.29 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPB10N03LB	文件：205.32 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS?2 Power-Transistor 文件：205.32 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
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IPD10N03LA	文件：412.96 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS2 Power-Transistor Features ? Ideal for high-frequency dc/dc converters ? Qualified according to JEDEC1) for target application ? N-channel, logic level ? Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) ? Superior thermal resistance ? 175 °C operating temperature ? Pb-free lead plating; RoHS compliant 文件：412.96 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPD10N03LAG	文件：403.13 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS?2 Power-Transistor Features ? Ideal for high-frequency dc/dc converters ? Qualified according to JEDEC1) for target application ? N-channel, logic level ? Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) ? Superior thermal resistance ? 175 °C operating temperature ? Pb-free lead plating; RoHS compliant 文件：403.13 Kbytes 頁(yè)數(shù)：12 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IPB10N03L
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
RoHS：
否
類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
OptiMOS™
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類(lèi)型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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