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首頁 >IPB13N03LB>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IPB13N03LB	文件：280.12 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS?2 Power-Transistor 文件：280.12 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPB13N03LB	文件：300 bytes Page：1 Pages	OptiMOS?2 Power-Transistor	Infineon 英飛凌	Infineon
IPD13N03LA	文件：348.76 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS 2 Power-Transistor 13NO3LA -> Correct Partnumber : 13N03LA 1. Ideal for high-frequency dc/dc converters 2. Qualified according to JEDEC for target applications 3. N-channel, logic level 4. Excellent gate charge x RDS(on)product (FOM) 5. Superior thermal resistance 6. 175 °C operating temperature 文件：348.76 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPD13N03LA	文件：413.95 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS 2 Power-Transistor 13NO3LA -> Correct Partnumber : 13N03LA 1. Ideal for high-frequency dc/dc converters 2. Qualified according to JEDEC for target applications 3. N-channel, logic level 4. Excellent gate charge x RDS(on)product (FOM) 5. Superior thermal resistance 6. 175 °C operating temperature 文件：413.95 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPD13N03LA	文件：403.6 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS?2 Power-Transistor 13NO3LA -> Correct Partnumber : 13N03LA 1. Ideal for high-frequency dc/dc converters 2. Qualified according to JEDEC for target applications 3. N-channel, logic level 4. Excellent gate charge x RDS(on)product (FOM) 5. Superior thermal resistance 6. 175 °C operating temperature 文件：403.6 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON

詳細參數(shù)

型號：
IPB13N03LB
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
OptiMOS™
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

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