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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IPB09N03LA	文件：347.27 Kbytes Page：10 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/09n03la/marking.html">09N03LA；Package：P-TO263-3-2；OptiMOS 2 Power-Transistor Type : IPB09N03LAG Package : PG-TO263-3-2 Marking : 09N03LA ? Ideal for high-frequency dc/dc converters ? Qualified according to JEDEC for target applications ? N-channel - Logic level ? Excellent gate charge x RDS(on)product (FOM) ? Very low on-resistance RDS(on) ? Superior the 文件：347.27 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPB09N03LAG	文件：276.86 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS?2 Power-Transistor Features ? Ideal for high-frequency dc/dc converters ? Qualified according to JEDEC1)for target applications ? N-channel - Logic level ? Excellent gate charge x RDS(on)product (FOM) ? Very low on-resistance RDS(on) ? Superior thermal resistance ? 175 °C operating temperature ? dv/dtrated 文件：276.86 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPB09N03LAG	文件：281.87 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS 2Power-Transistor Features ? Ideal for high-frequency dc/dc converters ? Qualified according to JEDEC1)for target applications ? N-channel - Logic level ? Excellent gate charge x RDS(on)product (FOM) ? Very low on-resistance RDS(on) ? Superior thermal resistance ? 175 °C operating temperature ? dv/dtrated 文件：281.87 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPB09N03LAT	文件：281.87 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS 2Power-Transistor Features ? Ideal for high-frequency dc/dc converters ? Qualified according to JEDEC1)for target applications ? N-channel - Logic level ? Excellent gate charge x RDS(on)product (FOM) ? Very low on-resistance RDS(on) ? Superior thermal resistance ? 175 °C operating temperature ? dv/dtrated 文件：281.87 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPB09N03LA	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK	Infineon 英飛凌	Infineon
IPB09N03LAT	文件：300 bytes Page：1 Pages	OptiMOS?2 Power-Transistor ? Ideal for high-frequency dc/dc converters\n? Qualified according to JEDEC1)for target applications\n? N-channel - Logic level\n? Excellent gate charge x RDS(on)product (FOM)\n? Very low on-resistance RDS(on)\n? Superior thermal resistance\n? 175 °C operating temperature\n? dv/dtrated\n? Pb-free le;	Infineon 英飛凌	Infineon
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IPB09N03LA
功能描述：
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
OptiMOS™
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多IPB09N03LA供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 14:03:00

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