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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IPB05N03LB	文件：282.54 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS?2 Power-Transistor 文件：282.54 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
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IPD05N03LA	文件：434.51 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS 2 Power-Transistor Features ? Ideal for high-frequency dc/dc converters ? Qualified according to JEDEC1) for target application ? N-channel, logic level ? Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) ? Superior thermal resistance ? 175 °C operating temperature 文件：434.51 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPD05N03LA	文件：348.93 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS 2 Power-Transistor Features ? Ideal for high-frequency dc/dc converters ? Qualified according to JEDEC1) for target application ? N-channel, logic level ? Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) ? Superior thermal resistance ? 175 °C operating temperature 文件：348.93 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPD05N03LA	文件：404.37 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS?2 Power-Transistor Features ? Ideal for high-frequency dc/dc converters ? Qualified according to JEDEC1) for target application ? N-channel, logic level ? Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) ? Superior thermal resistance ? 175 °C operating temperature ? Pb-free lead plating; RoHS comp 文件：404.37 Kbytes 頁(yè)數(shù)：12 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IPB05N03LB
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
OptiMOS™
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IPB05N03LB	INFINEON/英飛凌	25+	TO-263	32000	INFINEON/英飛凌全新特價(jià)IPB05N03LB即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨	詢價(jià)
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更多IPB05N03LB供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 14:14:00

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