OptiMOS?5 Power-Transistor, 150 V

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英飛凌

N 溝道功率 MOSFET

英飛凌推出的 OptiMOS?5 150V 功率 MOSFET 特別適合叉車和電動腳踏車等低壓驅(qū)動器以及通信和太陽能應(yīng)用。產(chǎn)品突破性地降低了 R?DS(on)（與 SuperSO8 中的下一個理想替代品相比高達(dá) 25％）和 Q?rr，而不影響 FOM?gd?和 FOM?OSS，從而在優(yōu)化系統(tǒng)效率的同時有效減少設(shè)計(jì)工作量。此外，超低反向恢復(fù)電荷（在 SuperSO8 中，Q?rr?= 26 nC）提高了換流堅(jiān)固性。 ? 降低 RDS(on)而不影響 FOMgd和 FOMoss\n? 降低輸出電荷\n? 超低反向恢復(fù)電荷\n? 提高換流堅(jiān)固性\n? 可以提高開關(guān)頻率\n\n優(yōu)勢:\n? 減少并聯(lián)\n? 使用出色的 SuperSO8 縮小尺寸\n? 更高的功率密度設(shè)計(jì)\n? 更堅(jiān)固的產(chǎn)品\n? 降低系統(tǒng)成本\n? 改善電磁干擾行為;

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英飛凌

絲印：048N15LF；Package：PG-TO263-3；OptiMOSTM 5 Linear FET, 150 V

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英飛凌

isc N-Channel MOSFET Transistor

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無錫固電

OptiMOSTM 5 Linear FET, 150 V

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結(jié)合低 RDS(on) 與寬安全工作區(qū) (SOA)

OptiMOS? Linear FET is a revolutionary approach to avoid the trade-off between on-state resistance (R DS(on)) and linear mode capability – operation in the saturation region of an enhanced mode MOSFET. It offers the state-of-the-art R DS(on) of a trench MOSFET together with the wide safe operating a ? Combination of low R DS(on) and wide safe operating area (SOA)\n? High max. pulse current\n? High continuous pulse current\n\n優(yōu)勢:\n? Rugged linear mode operation\n? Low conduction losses\n? Higher in-rush current enabled for faster start-up and shorter down time;

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