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IPB043N10NF2S	文件：973.3 Kbytes Page：11 Pages	絲印：043N10NS；Package：PG-TO263-3；StrongIRFETTM 2 Power-Transistor Features ? Optimized for a wide range of applications ? N-Channel, normal level ? 100 avalanche tested ? Pb-free lead plating; RoHS compliant ? Halogen-free according to IEC61249-2-21 文件：973.3 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPB043N10NF2S	文件：300 bytes Page：1 Pages	StrongIRFET ? 2 單 N 溝道功率 MOSFET 100 V，采用 D2PAK 封裝英飛凌的 StrongIRFET ? 2 功率 MOSFET 100 V 具有 4.3 mOhm 的低 RDS(on)，可滿足從低開關(guān)頻率到高開關(guān)頻率的廣泛應(yīng)用。 ? 可從分銷合作伙伴處獲取\n? 卓越的性價比\n? 適用于高和低開關(guān)頻率\n? 行業(yè)標(biāo)準尺寸封裝\n? 高額定電流;	Infineon 英飛凌	Infineon
IPB048N15N5	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263	INFINEON 英飛凌上傳：深圳市星辰微電科技有限公司	INFINEON
IPB048N15N5	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263	INFINEON 英飛凌上傳：深圳市鼎欣微電子有限公司	INFINEON
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深圳市煦洪科技有限公司	IPB043N10NF2S	Infineon/英飛凌	25+	原廠封裝	10280	原廠授權(quán)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！	詢價
深圳市盈慧通電子有限公司	IPB043N10NF2S	INFINEON/英飛凌	2511	TO263-3	360000	電子元器件采購降本30%!原廠直采,砍掉中間差價	詢價
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天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IPB043N10NF2SATMA1	INFINEON			360		詢價
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