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首頁(yè) >IPA65R065C7>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IPA65R065C7	文件：1.77184 Mbytes Page：15 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：1.77184 Mbytes 頁(yè)數(shù)：15 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPA65R065C7	文件：260.86 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：260.86 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IPA65R065C7	文件：300 bytes Page：1 Pages	500 V-950 V CoolMOS? N 溝道功率 MOSFET 英飛凌的 CoolMOS? C7 超結(jié) MOSFET 系列是技術(shù)的一次突破性進(jìn)步，在全球范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了低 RDS(on)/封裝，并且得益于其低開關(guān)損耗，可在全負(fù)載范圍內(nèi)提高效率。 ? 650V 電壓\n? 具有突破性且出色的R DS(on)/封裝\n? 減少儲(chǔ)存在輸出電容中的能量 (Eoss)\n? 低柵極電荷Qg\n? 通過使用更小的封裝或減少零部件節(jié)省空間\n? 在超結(jié)技術(shù)領(lǐng)域擁有 12 年的制造經(jīng)驗(yàn)\n\n優(yōu)勢(shì):\n? 提高安全裕度，適用于 SMPS 和太陽(yáng)能逆變器應(yīng)用\n? 低通態(tài)損耗/小封裝\n? 低開關(guān)損耗\n? 提高輕載效率\n? 增加功率密度\n? 出色的CoolMOS?質(zhì)量;	Infineon 英飛凌	Infineon
IPB65R065C7	文件：1.80562 Mbytes Page：15 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：1.80562 Mbytes 頁(yè)數(shù)：15 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPB65R065C7	文件：189.35 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：189.35 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IPP65R065C7	文件：339.17 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：339.17 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC

技術(shù)參數(shù)

OPN：
IPA65R065C7XKSA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-TO220-3
VDS max：
650 V
RDS (on) @10V max：
65 m?
ID @25°C max：
15 A
QG typ @10V：
64 nC
Special Features：
highest performance
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
VGS(th) min：
3 V
VGS(th) max：
4 V
Technology：
CoolMOS? C7

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市凌旭科技有限公司	IPA65R065C7	INFINEON	21+	TO220F	1516	十年信譽(yù),只做原裝,有掛就有現(xiàn)貨!	詢價(jià)
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更多IPA65R065C7供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 18:42:00

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