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首頁(yè) >IPB65R065C7>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IPB65R065C7	文件：1.80562 Mbytes Page：15 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：1.80562 Mbytes 頁(yè)數(shù)：15 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPB65R065C7	文件：189.35 Kbytes Page：2 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/d2pak/marking.html">D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：189.35 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
IPB65R065C7	文件：300 bytes Page：1 Pages	500 V-950 V CoolMOS? N 溝道功率 MOSFET 英飛凌的 CoolMOS? C7 超結(jié) MOSFET 系列是技術(shù)的一次突破性進(jìn)步，在全球范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了低 RDS(on)/封裝，并且得益于其低開關(guān)損耗，可在全負(fù)載范圍內(nèi)提高效率。 ? 650V 電壓\n? 具有突破性且出色的R DS(on)/封裝\n? 減少儲(chǔ)存在輸出電容中的能量 (Eoss)\n? 低柵極電荷Qg\n? 通過使用更小的封裝或減少零部件節(jié)省空間\n? 在超結(jié)技術(shù)領(lǐng)域擁有 12 年的制造經(jīng)驗(yàn)\n\n優(yōu)勢(shì):\n? 提高安全裕度，適用于 SMPS 和太陽(yáng)能逆變器應(yīng)用\n? 低通態(tài)損耗/小封裝\n? 低開關(guān)損耗\n? 提高輕載效率\n? 增加功率密度\n? 出色的CoolMOS?質(zhì)量;	Infineon 英飛凌	Infineon
IPP65R065C7	文件：339.17 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：339.17 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
IPP65R065C7	文件：1.67654 Mbytes Page：15 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：1.67654 Mbytes 頁(yè)數(shù)：15 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPW65R065C7	文件：2.01823 Mbytes Page：15 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：2.01823 Mbytes 頁(yè)數(shù)：15 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON

技術(shù)參數(shù)

OPN：
IPB65R065C7ATMA2
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-TO263-3
VDS max：
650 V
RDS (on) @10V max：
65 m?
ID @25°C max：
33 A
QG typ @10V：
64 nC
Special Features：
highest performance
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
VGS(th) min：
3 V
VGS(th) max：
4 V
Technology：
CoolMOS? C7

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市坤融電子科技有限公司	IPB65R065C7	INFINEON/英飛凌	2025+	TO263	1575	原裝進(jìn)口價(jià)格優(yōu) 請(qǐng)找坤融電子!	詢價(jià)
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艾睿（深圳）半導(dǎo)體有限公司	IPB65R065C7	Infineon(英飛凌)	2447	PG-TO263-3	105000	1000個(gè)/圓盤一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,	詢價(jià)
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更多IPB65R065C7供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 16:36:00

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