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IP431AI	文件：66.5 Kbytes Page：7 Pages	PROGRAMMABLE PRECISION REFERENCE 文件：66.5 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
IP431AM	文件：66.5 Kbytes Page：7 Pages	PROGRAMMABLE PRECISION REFERENCE 文件：66.5 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
IRF431	文件：211.24 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ? Low RDs(on) at high voltage ? Improved inductive ruggedness ? Excellent high voltage stability ? Fast switching times ? Rugged polysilicon gate cell structure ? Low input capactiance ? Extended safe operating area ? Improved high temperature reliablitiy ? TO-3 package (High vol 文件：211.24 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
IRF431	文件：141.08 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V Description These devices are n-channel, enhancement mode, power MOSFETs designed especially for high voltage, high spaed applications, such as off-line switching power supplies, UPS, AC and DC motor controls, relay and solenoid drivers. ? VGS Rated at ± 20V ? Silicon Gate for Fast Switchi 文件：141.08 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD

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更多IP431AI供應(yīng)商更新時間2026-1-19 16:01:00