PCA9564PW，PCA9564PW 是 恩XP Semiconductors 生產(chǎn)的一款用于并行總線至 I2C 總線轉(zhuǎn)換的接口集成電路，以下從其特點(diǎn)、工作原理、應(yīng)用等方面進(jìn)行詳細(xì)介紹：特點(diǎn)電壓范圍寬：工作電壓范圍為 2.3V 至 3.6V，能夠適應(yīng)多種不同的電源電壓環(huán)境，增強(qiáng)了其在不同電路系統(tǒng)中的通用性。多種工作模式：支持 I2C 總線的標(biāo)準(zhǔn)模式、快速模式、快速模式 Plus 等，數(shù)據(jù)傳輸速率最高可達(dá) 1Mbit/s，滿足不同設(shè)備對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速度的要求。引腳數(shù)量與封裝形式
ADV7611BSWZ 是亞德諾（ADI）公司推出的一款低功耗、高性能的視頻 IC，主要用于處理和輸出高清視頻信號(hào)，ADV7611BSWZ 是亞德諾（ADI）公司推出的一款低功耗、高性能的視頻 IC，主要用于處理和輸出高清視頻信號(hào)，以下是詳細(xì)介紹：功能特性：高清接口支持：支持高清多媒體接口（HDMI）1.4a 功能，TMDS 時(shí)鐘頻率最高可達(dá) 165MHz，可接收和解碼全高清 HDMI 信號(hào)。3D 視頻支持：支持所有強(qiáng)制性和附加 3D 視頻格式，能滿足 3D 顯示設(shè)備的需求。
NTMFS4C13NT1G，更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請(qǐng)聯(lián)系 NTMFS4C13NT1G供貨情況 NTMFS4C13NT1G產(chǎn)品購買 NTMFS4C13NT1G中文資料-數(shù)據(jù)手冊(cè)-PDF資料 制造商: onsemi 產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SO-8FL-4 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V Id-連續(xù)漏極電流: 38 A Rds On-
NTMFS4C10NCT1G，更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請(qǐng)聯(lián)系 NTMFS4C10NCT1G 供貨情況 NTMFS4C10NCT1G? 產(chǎn)品購買 NTMFS4C10NCT1G? 中文資料-數(shù)據(jù)手冊(cè)-PDF資料 制造商: onsemi 產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SO-8 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V Id-連續(xù)漏極電流: 15 A Rds
GRM1885C2E100JW07D MURATA/村田，參數(shù)類別__具體參數(shù)尺寸規(guī)格__英寸：0603；公制：1608（長 1.6±0.1mm，寬 0.8±0.1mm ，厚度 0.8±0.1mm ）電容值__10pF電容公差__±5%溫度特性__C0G（NP0），TC0±30ppm/℃（25℃至 125℃溫度范圍內(nèi)）額定電壓_&nbs
ISO1050DUBR 是德州儀器（TI）推出的一款隔離式 5V CAN 收發(fā)器。，封裝與引腳：采用 SOP - 8 封裝，有 8 個(gè)引腳，這種封裝形式便于表面貼裝，節(jié)省電路板空間。 電氣特性： 隔離電壓：采用氧化硅（SiO?）絕緣隔柵，能提供高達(dá) 2500V RMS 的電隔離能力，可有效防止數(shù)據(jù)總線或其他電路上的噪聲電流進(jìn)入本地接地，保護(hù)敏感電路。 工作電壓：工作電壓范圍一般為 4.5V 至 5.5V，典型工作電流為 18mA。 數(shù)據(jù)傳輸速率：符合 ISO11898 - 2 標(biāo)準(zhǔn)，支持高達(dá) 1M
BSP297H6327XTSA1 60000PCS 現(xiàn)貨供應(yīng) 歡迎來電咨詢，型號(hào) BSP297H6327XTSA1 品牌 Infineon 封裝 SOT-223 FET 類型 N 通道 技術(shù) MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss） 200 V 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 660mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） 1.8 歐姆 @ 660mA，10V 不同 I
從型號(hào)格式來看，它可能屬于貼片電感器、電容器或小型連接器等無源器件，頻點(diǎn)：50MHz。 工作電壓：1.8V-3.3V。 常溫頻差：±10PPM。 工作溫度：-40℃-85℃。 輸出模式：CMOS。 封裝：SMD3225-4P。 商品毛重：0.046 克。 頻率穩(wěn)定度：±20PPM（全溫度范圍）。
ZLDO1117GTA DIODES(美臺(tái)) SOT-223-4 現(xiàn)貨供應(yīng) 歡迎來電咨詢，ZLDO1117GTA 品牌：DIODES(美臺(tái)) 封裝：SOT-223-4 工作電壓：18V 工作電流：1A 通道數(shù)：1 類目：線性穩(wěn)壓器(LDO)
“MPMT2002AT1 通過優(yōu)化溝道技術(shù)，在同等規(guī)格下實(shí)現(xiàn)比競品低15%的導(dǎo)通損耗，搭配DPAK封裝的熱阻優(yōu)勢，成為高密度電源設(shè)計(jì)的理想選擇，關(guān)鍵參數(shù) 電壓/電流：200V耐壓，20A持續(xù)電流（@25°C），滿足高壓大電流場景。 導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：僅 8.5mΩ（@VGS=10V），大幅降低傳導(dǎo)損耗。 開關(guān)性能：Qg（柵極電荷）18nC，優(yōu)化高頻開關(guān)效率。 熱性能：結(jié)溫范圍 -55°C至+175°C，支持高溫環(huán)境穩(wěn)定運(yùn)行。 封裝：TO-252（DPAK），兼容主流貼片工藝，散
采用半導(dǎo)體晶閘管結(jié)構(gòu)，在30A浪涌沖擊下仍能將電壓鉗位在40V以內(nèi)，對(duì)比傳統(tǒng)TVS方案，其能量吸收能力提升3倍。實(shí)測數(shù)據(jù)：在8/20μs波形沖擊后，器件參數(shù)無漂移，壽命遠(yuǎn)超MOV類器件?！?，核心參數(shù)與專業(yè)優(yōu)勢 工作電壓：15V（適合低壓信號(hào)線路保護(hù)，如RS-485/CAN總線）。 浪涌能力：±30A（8/20μs），單脈沖抗沖擊，符合 IEC61000-4-5 標(biāo)準(zhǔn)。 鉗位電壓：低至 40V（@30A），快速抑制過壓，保護(hù)后端IC。 響應(yīng)時(shí)間：
SN74LVC2G17DBVR 是德州儀器（TI）推出的一款雙通道施密特觸發(fā)器緩沖器，屬于邏輯門電路。，特性： 寬電源電壓范圍：工作電源電壓為 1.65V 至 5.5V，支持 5V 電源操作，輸入可接受最高 5.5V 的電壓。 施密特觸發(fā)輸入：具有施密特觸發(fā)特性，可對(duì)緩慢變化或噪聲較大的輸入信號(hào)進(jìn)行整形，輸出干凈的方波信號(hào)，且正向和負(fù)向輸入閾值電平不同。 高速傳播延遲：在 3.3V 電源電壓下，最大傳播延遲時(shí)間為 5.4ns，在 5V 電源電壓下為 4.3ns，能滿足高速信號(hào)處理需求。 低功耗：靜
SN65HVD230DR 采用 8 引腳 SOIC 封裝，內(nèi)部集成差分收發(fā)器、邏輯控制單元和保護(hù)電路。，一、核心架構(gòu)與引腳功能 VCC（引腳 1）：3.3V 單電源輸入，需并聯(lián) 10μF 電解電容 + 0.1μF 陶瓷電容組合濾波，抑制電源紋波。 GND（引腳 2）：數(shù)字地與模擬地需單點(diǎn)連接，避免地彈干擾。 TXD（引腳 3）：TTL 電平發(fā)送輸入，直接連接 MCU 的 CAN_TX 引腳，高電平對(duì)應(yīng) CAN 總線隱性狀態(tài)。 RXD（引腳 4）：TTL 電平接收輸出，輸出邏輯與 CAN 總線顯性
BSP300L6327HUSA1 60000PCS 現(xiàn)貨供應(yīng) 歡迎來電咨詢，型號(hào) BSP300L6327HUSA1 品牌 INFINEON 批次 SOT-223 FET 類型 N 通道 技術(shù) MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss） 800 V 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 190mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） 20 歐姆 @ 190mA，10V 不同 Id 時(shí) Vg
STW81102ATR 是意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出的一款集成射頻合成器鎖相環(huán)芯片，STW81102ATR 是意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出的一款集成射頻合成器鎖相環(huán)芯片。以下是其相關(guān)介紹：主要特點(diǎn)：集成度高：內(nèi)置整數(shù) N 頻率合成器和兩個(gè)完全集成的壓控振蕩器（VCO），是分立式 PLL 和 VCO 解決方案的低成本單芯片替代方案。頻率范圍廣：具有雙差分集成 VCO，通過自動(dòng)中心頻率校準(zhǔn)，可覆蓋多個(gè)頻段，直接輸出頻率范圍為 300
LTC1982ES6#TRPBF 是一款由亞德諾（ADI）公司生產(chǎn)的柵極驅(qū)動(dòng)器，LTC1982ES6#TRPBF 是一款由亞德諾（ADI）公司生產(chǎn)的柵極驅(qū)動(dòng)器。以下是其詳細(xì)介紹：產(chǎn)品特點(diǎn)：低功耗設(shè)計(jì)：屬于低功率的獨(dú)立型 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，靜態(tài)電流低，停機(jī)電流低于 1μA，適用于電池供電等功率受限系統(tǒng)。無需外部組件：內(nèi)部集成電壓三倍器，無需額外外部組件即可驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O，簡化電路設(shè)計(jì)。柵極電壓保護(hù)：柵極驅(qū)動(dòng)電壓在內(nèi)部箝位于 7.5V，可保護(hù)外部 MOSFET 柵極免受
FP1007R3-R15-R原裝現(xiàn)貨價(jià)格好，F(xiàn)P1007R3-R15-R原裝現(xiàn)貨價(jià)格好 FP1007R3-R15-R原裝現(xiàn)貨價(jià)格好 代理現(xiàn)貨FP1007R3-R15-R?供應(yīng) 有關(guān)咨詢FP1007R3-R15-R?價(jià)格 FP1007R3-R15-R?供貨情況 FP1007R3-R15-R?庫存數(shù)量 FP1007R3-R15-R?規(guī)格書 FP1007R3-R15-R?產(chǎn)品購買，請(qǐng)聯(lián)系！ 產(chǎn)品屬性 屬性值 選擇屬性 制造商: Eaton 產(chǎn)品種類: 功率電感器（SMD型） RoHS:
SGM48000XS8G/TR優(yōu)勢出現(xiàn)貨，SGM48000XS8G/TR 憑借高速、低功耗和寬工作范圍的特性，在中低端電源管理和電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域具有顯著競爭力。盡管已停產(chǎn)，但通過合理的供應(yīng)鏈管理和替代方案規(guī)劃，仍可在現(xiàn)有項(xiàng)目中有效利用其性價(jià)比優(yōu)勢。對(duì)于新項(xiàng)目，建議優(yōu)先采用 SGM48000/1/2 系列，并關(guān)注圣邦微后續(xù)推出的升級(jí)型號(hào)（如支持氮化鎵器件驅(qū)動(dòng)的產(chǎn)品），以適應(yīng)技術(shù)演進(jìn)需求
八通道 400 MHz 超寬帶 RF Transceiver，專為 5G/毫米波/相控陣/衛(wèi)星終端打造的“射頻中樞”。下面用 6 組硬核指標(biāo)，一口氣看懂它為何能把傳統(tǒng)“FPGA+四顆RFIC”的板卡直接打成郵票大小，場景直擊 ? 5G 宏基站：單顆驅(qū)動(dòng) 64T64R Massive-MIMO，功耗直降 30 %。 ? 低軌衛(wèi)星終端：多頻點(diǎn)同時(shí)鎖定，星地切換
把AC→DC 整流、SiC 驅(qū)動(dòng)、數(shù)字孿生控制和安全監(jiān)控四顆傳統(tǒng)芯片，一次性塞進(jìn) 7 mm×7 mm 封裝里。不是普通 IC，它是 2 MW 液冷超充整樁的「電力大腦」——一顆車規(guī)級(jí)高壓電源管理 SoC，把 AC→DC 整流、SiC 驅(qū)動(dòng)、數(shù)字孿生控制和安全監(jiān)控四顆傳統(tǒng)芯片，一次性塞進(jìn) 7 mm×7 mm 封，三大亮點(diǎn) 2000 kW 液冷超充，15 min 補(bǔ)能 600 km，SOC 30-80 %_只需一杯咖啡。 四路獨(dú)立 500 kW 輸出，重卡、大巴、乘用車同站混充，不挑槍。 碳化硅+數(shù)字孿
TLE4484G 貼片SOT223 INFINEON/英飛凌 低壓差穩(wěn)壓器 一站式bom配單，Infineon 代理分銷 TLE4484G 代理 TLE4484G其他參數(shù)聯(lián)系客服 TLE4484G 替代型號(hào) TLE4484G停產(chǎn)了嗎 TLE4484G現(xiàn)貨5k TLE4484G哪一年停產(chǎn)的 TLE4484G最小包裝 TLE4484G PDF文件 規(guī)格書 TLE4484G 最新年份是什么時(shí)候 TLE4484G 規(guī)格書 TLE4484G電壓 TLE4484G 電流 陳嘉嘉1893
BSP322PH6327XTSA1 60000PCS 現(xiàn)貨供應(yīng) 歡迎來電咨詢，型號(hào) BSP322PH6327XTSA1 品牌 INFINEON 封裝 SOT-223 漏源電壓（Vdss）100 V 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 1A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） 800 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） 1V @ 380μA 不同 Vgs 時(shí)
OP400GSZ 是亞德諾半導(dǎo)體（Analog Devices）推出的一款四通道精密運(yùn)算放大器，具有低失調(diào)電壓、低功耗等特點(diǎn)，適用于通訊、儀器、音頻視頻顯示等領(lǐng)域。，OP400GSZ 是亞德諾半導(dǎo)體（Analog Devices）推出的一款四通道精密運(yùn)算放大器，具有低失調(diào)電壓、低功耗等特點(diǎn)，適用于通訊、儀器、音頻視頻顯示等領(lǐng)域。以下是詳細(xì)介紹：主要特點(diǎn)低輸入失調(diào)電壓：最大為 150μV，在整個(gè)軍用溫度范圍內(nèi)，漂移小于 1.2μV/°C，能確保信號(hào)放大的準(zhǔn)確性。高開環(huán)增益：開環(huán)增益超
TLC3702IDR 是德州儀器（Texas Instruments）推出的一款雙微功耗 LinCMOS? 模擬比較器，TLC3702IDR 是德州儀器（Texas Instruments）推出的一款雙微功耗 LinCMOS? 模擬比較器，以下將從其特點(diǎn)、參數(shù)、應(yīng)用等方面進(jìn)行詳細(xì)介紹：特點(diǎn)推挽 CMOS 輸出：采用推挽 CMOS 輸出階段，能夠直接驅(qū)動(dòng)電容負(fù)載，無需額外的上拉電阻，有助于減少功耗、節(jié)省電路板空間并降低組件成本。低功耗：在 5V 供電時(shí)，典型功耗僅為 100μW，適合
ECS-3225MV-250-BN原裝現(xiàn)貨價(jià)格好，ECS-3225MV-250-BN原裝現(xiàn)貨價(jià)格好 代理現(xiàn)貨ECS-3225MV-250-BN?供應(yīng) 有關(guān)咨詢ECS-3225MV-250-BN?價(jià)格 ECS-3225MV-250-BN?供貨情況 ECS-3225MV-250-BN?庫存數(shù)量 ECS-3225MV-250-BN?規(guī)格書 ECS-3225MV-250-BN?產(chǎn)品購買，請(qǐng)聯(lián)系！ 產(chǎn)品屬性 屬性值 選擇屬性 制造商: ECS 產(chǎn)品種類: 標(biāo)準(zhǔn)時(shí)鐘振蕩器 RoHS: ?詳細(xì)信
Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投訴建議：[email protected]
Copyright ? 2003-2026 114ic.com All Rights Reserved 粵ICP備05011613號(hào) 粵公網(wǎng)安備 44030402000933號(hào)
