MB85RC64PNF-G-JNERE1 FRAM存儲器解析:64Kb高性能非易失存儲,工業(yè)級可靠性的理想選擇
高速讀寫、超低功耗、10萬億次擦寫壽命,替代EEPROM/Flash的終極解決方案,存儲特性 容量:64Kbit(8KB),字節(jié)尋址,兼容I2C接口(400kHz/1MHz) 讀寫速度:0.15ms/頁(比EEPROM快1000倍,無寫延遲) 數(shù)據(jù)保持:10年@85℃(自刷新技術(shù),無需電池備份) 可靠性 擦寫壽命:10^12次(EEPROM的100萬倍,F(xiàn)lash的10萬倍) 工作電壓:1.8V~3.6V(寬壓設(shè)計,兼容低功耗MCU) 抗干擾:±4kV ESD保護(hù)(符合IEC61000-



















