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HM9233	文件：1.45102 Mbytes Page：7 Pages	Built-in MOS, DC-DC converter 文件：1.45102 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages	HMSEMI 華之美半導體	HMSEMI
IRF9233	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ? Low RDS(on) ? Improved inductive ruggedness ? Fsat switching times ? Rugged polysilicon gate cell structure ? Low input capacitance ? Extended safe operating area ? Improved high temperature reliability 文件：508.31 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
IRF9233	文件：72.62 Kbytes Page：7 Pages	-5.5A and -6.5A, -150V and -200V, 0.8 and 1.2 Ohm, P-Channel Power MOSFETs Description These devices are P-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for 文件：72.62 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	INTERSIL	INTERSIL
IRFF9233	文件：115.08 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-Rated P-Channel Power MOSFETs 文件：115.08 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體公司	NJSEMI

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更多HM9233供應商更新時間2026-1-19 15:40:00