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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
HBD437T	文件：37.02 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Description The HBD437T is silison epitaxial-base NPN power transistor in TO-126 plastic package, intented for use in medium power linear and switching applications. The complementary PNP type is HBD438T. 文件：37.02 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	HSMC 華昕	HSMC
HBD438T	文件：34.84 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Description The HBD438T is silison epitaxial-base PNP power transistor in TO-126 plastic package, intented for use in medium power linear and switching applications. The complementary NPN type is HBD437T. 文件：34.84 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	HSMC 華昕	HSMC
HBD675	文件：32.34 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HBD675 is designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. 文件：32.34 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	HSMC 華昕	HSMC
HBD677	文件：32.34 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HBD677 is designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. 文件：32.34 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	HSMC 華昕	HSMC
HBD678	文件：24.73 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HBD678 is designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. Features ? High Current Gain ? Monolithic Constructor 文件：24.73 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	HSMC 華昕	HSMC
HBD682	文件：147.54 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR APPLICATIONS Medium Power Linear switching. 文件：147.54 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	HUASHAN 華汕電子器件	HUASHAN
HBDM60V600W	文件：833.4 Kbytes Page：8 Pages	COMPLEX TRANSISTOR ARRAY FOR BIPOLAR TRANSISTOR HALF H-BRIDGE MOTOR/ACTUATOR DRIVER Features ? Epitaxial Planar Die Construction ? Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) ? Green Device (Note 2) 文件：833.4 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	DIODES 美臺(tái)半導(dǎo)體	DIODES
HBDM60V600W-7	文件：833.4 Kbytes Page：8 Pages	COMPLEX TRANSISTOR ARRAY FOR BIPOLAR TRANSISTOR HALF H-BRIDGE MOTOR/ACTUATOR DRIVER Features ? Epitaxial Planar Die Construction ? Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) ? Green Device (Note 2) 文件：833.4 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	DIODES 美臺(tái)半導(dǎo)體	DIODES
HBDW93C	文件：145.69 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR APPLICATIONS Power Linear And Switching Applicatione. 文件：145.69 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	HUASHAN 華汕電子器件	HUASHAN
HBDW94C	文件：145.88 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR APPLICATIONS Power Linear And Switching Applicatione. 文件：145.88 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	HUASHAN 華汕電子器件	HUASHAN

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技術(shù)參數(shù)

PC(W)：
10.00
IC(A)：
6.00
BVcbo(V)：
50.00
BVceo(V)：
20.00
HFE_MIN：
140.00
HFE_MAX：
600.00
Vces(V)：
1.00
fT(MHz)：
100(TYP)
管腳排列PINARRAY：
ECB

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市聯(lián)世界科技有限公司	HBD060ZGE-A	POWERONE	24+/25+		26	原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu)	詢價(jià)
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	HBD040YED-A	POWER-ON	23+	24V3.3V2	595	全新原裝正品,量大可訂貨!可開17%增值票!價(jià)格優(yōu)勢!	詢價(jià)
諦輝(北京/上海/青島 )電子科技有限公司	HBD060GE-A1V	INTERNATIONAL	25+	DIP	18000	原廠直接發(fā)貨進(jìn)口原裝	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	HBD060GE-A1V	INTERNATIONAL	24+	DIP	30		詢價(jià)
芯有半導(dǎo)體（深圳）有限公司	HBD040ZEDA	INTERNATIONA	05+	原廠原裝	4226	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	HBD060GE-A1V	INTERNATIONA	23+	DIP	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	HBDGB0001KJSC	SSP	24+	原廠封裝	5000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	HBD040ZGE-A1V	POWERONE	24+	NA	5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
上海鑫科潤電子科技有限公司	HBD060ZGE-A	POWER	2010+	模塊10	220	原裝現(xiàn)貨海量庫存歡迎咨詢	詢價(jià)
上海金慶電子技術(shù)有限公司	HBD060ZGE-A	POWER-ONE	新		42	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)

更多HBD供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 14:30:00

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