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首頁(yè) >HBD>規(guī)格書(shū)列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
HBD	文件：183.38 Kbytes Page：3 Pages	HBD SERIES - DUAL OUTPUT, 60 WATT 文件：183.38 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	POWER-ONE	POWER-ONE
HBD136	文件：36.7 Kbytes Page：3 Pages	PNP POWER TRANSISTORS Description PNP power transistor in a TO-126 plastic package. NPN complements: HBD135 Features ? High Current (max. 1.5A) ? Low Voltage (max. 80V) Applications General purpose power applications, e.g. driver stages in hi-fi amplifiers and television circuits. 文件：36.7 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	HSMC 華昕	HSMC
HBD139	文件：36.56 Kbytes Page：3 Pages	NPN POWER TRANSISTORS Description PNP power transistor in a TO-126 plastic package. NPN complements: HBD140 Features ? High Current (max. 1.5A) ? Low Voltage (max. 80V) Applications Driver stages in hi-fi amplifiers and television circuits. 文件：36.56 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	HSMC 華昕	HSMC
HBD140	文件：36.57 Kbytes Page：3 Pages	PNP POWER TRANSISTORS Description PNP power transistor in a TO-126 plastic package. NPN complements: HBD139 Features ? High Current (max. 1.5A) ? Low Voltage (max. 80V) Applications General purpose power applications, e.g. driver stages in hi-fi amplifiers and television circuits. 文件：36.57 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	HSMC 華昕	HSMC
HBD195	文件：168.35 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR APPLICATIONS ? Medium Power Amplifier. 文件：168.35 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	HUASHAN 華汕電子器件	HUASHAN
HBD237	文件：24.72 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HBD237 is designed for medium power linear and switching applications 文件：24.72 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	HSMC 華昕	HSMC
HBD238	文件：24.7 Kbytes Page：2 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HBD238 is designed for medium power linear and switching applications. 文件：24.7 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	HSMC 華昕	HSMC
HBD241C	文件：109.76 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR APPLICATIONS Medium Power Linear And Switching Applicatione. 文件：109.76 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages	HUASHAN 華汕電子器件	HUASHAN
HBD435	文件：150.25 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR APPLICATIONS Medium Power Linear And Switching Applicatione. 文件：150.25 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	HUASHAN 華汕電子器件	HUASHAN
HBD437D	文件：46.56 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Description The HBD437D is silison epitaxial-base NPN power transistor in TO-126ML plastic package, intented for use in medium power linear and switching applications. The complementary PNP type is HBD438D. 文件：46.56 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	HSMC 華昕	HSMC

技術(shù)參數(shù)

PC(W)：
10.00
IC(A)：
6.00
BVcbo(V)：
50.00
BVceo(V)：
20.00
HFE_MIN：
140.00
HFE_MAX：
600.00
Vces(V)：
1.00
fT(MHz)：
100(TYP)
管腳排列PINARRAY：
ECB

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市聯(lián)世界科技有限公司	HBD060ZGE-A	POWERONE	24+/25+		26	原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu)	詢(xún)價(jià)
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	HBD040YED-A	POWER-ON	23+	24V3.3V2	595	全新原裝正品,量大可訂貨!可開(kāi)17%增值票!價(jià)格優(yōu)勢(shì)!	詢(xún)價(jià)
諦輝(北京/上海/青島 )電子科技有限公司	HBD060GE-A1V	INTERNATIONAL	25+	DIP	18000	原廠(chǎng)直接發(fā)貨進(jìn)口原裝	詢(xún)價(jià)
深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司	HBD060GE-A1V	INTERNATIONAL	24+	DIP	30		詢(xún)價(jià)
芯有半導(dǎo)體（深圳）有限公司	HBD040ZEDA	INTERNATIONA	05+	原廠(chǎng)原裝	4226	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢(xún)價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	HBD060GE-A1V	INTERNATIONA	23+	DIP	5000	原裝正品,假一罰十	詢(xún)價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	HBDGB0001KJSC	SSP	24+	原廠(chǎng)封裝	5000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢(xún)價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	HBD040ZGE-A1V	POWERONE	24+	NA	5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
上海鑫科潤(rùn)電子科技有限公司	HBD060ZGE-A	POWER	2010+	模塊10	220	原裝現(xiàn)貨海量庫(kù)存歡迎咨詢(xún)	詢(xún)價(jià)
上海金慶電子技術(shù)有限公司	HBD060ZGE-A	POWER-ONE	新		42	全新原裝貨期兩周	詢(xún)價(jià)

更多HBD供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 14:30:00

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