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GAN111-650WSB	文件：396.1 Kbytes Page：12 Pages	絲?。?strong>GAN111；Package：TO-247-3L；650 V, 97 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package 1. General description The GAN111-650WSB is a 650 V, 97 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package. It is a normally-off device that combines Nexperia’s latest high-voltage GaN HEMT H2 technology and low-voltage silicon MOSFET technologies — offering superior reliability and performance. 文件：396.1 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市高捷芯城科技有限公司	GAN140-650EBEZ	Nexperia	25+	-	18746	樣件支持,可原廠排單訂貨!	詢價
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貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	GAN22LU-A0U-6090200	HIRSCHMANN	23+		748228	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
廣東濟(jì)德精密電子有限公司	GAN-2A-12DG2	高登	25+	DIP	2200	國產(chǎn)替換現(xiàn)貨降本	詢價
深圳市鵬順微電子科技有限公司	GAN30084EU	AMPHENOL	2022+	原廠原包裝	8600	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價
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更多GAN111供應(yīng)商更新時間2026-1-18 9:30:00