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首頁 >FQP2N80>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
FQP2N80	文件：649.95 Kbytes Page：8 Pages	800V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：649.95 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQP2N80	文件：302.73 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=2.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =6.3Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：302.73 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
FQP2N80	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 溝道，QFET? MOSFET，800V，2.4A，6.3Ω 該 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體?的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻，并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）及照明燈電子鎮(zhèn)流器。 ?2.4A，800V，RDS(on)= 6.3Ω（最大值）（VGS = 10 V 且 ID = 1.2A 時(shí)）\n?低柵極電荷（典型值 12nC)\n?低 Crss（典型值 5.5pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測(cè)試;	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FQPF2N80	文件：619.27 Kbytes Page：8 Pages	800V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are product using Fairchilds proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advance technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstan 文件：619.27 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQPF2N80	文件：278.38 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=1.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =6.3Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：278.38 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
FQU2N80	文件：639 Kbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor?’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high a 文件：639 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD

技術(shù)參數(shù)

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
800
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
5
ID Max (A)：
2.4
PD Max (W)：
85
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
6300
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
12
Ciss Typ (pF)：
425
Package Type：
TO-220-3

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多FQP2N80供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 16:44:00

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